Модераторы секции:
Латышев Александр Васильевич
академик РАН, директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, заведующий кафедрой физики полупроводников ФФ НГУ
Ипполитов Кирилл Михайлович
генеральный директор АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток» (АО «НЗПП Восток»)
Латышев Александр Васильевич
академик РАН, директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, заведующий кафедрой физики полупроводников ФФ НГУ
Ипполитов Кирилл Михайлович
генеральный директор АО «Новосибирский завод полупроводниковых приборов Восток» (АО «НЗПП Восток»)
Секция «Микроэлектроника» представляет собой экспертную площадку для обсуждения современных задач технологического развития электронной компонентной базы (ЭКБ) микроэлектроники и твердотельной нанофотоники с научным сообществом, индустриальными партнерами, потенциальными заказчиками, студентами и аспирантами вузов.
Участников ждёт дискуссия, касающаяся перехода от импортозамещения к серийному производству и технологическому лидерству в области ЭКБ микроэлектроники. В том числе в области разработки приборов и интегральных схем на новых физических принципах и с использованием новых материалов.
Своим опытом поделятся представители крупных научных консорциумов, вузов и индустрии. Вместе они постараются ответить на вопросы о кратчайших путях коммерциализации научных знаний, создании проектов замкнутого цикла, основанного на оптимальном сочетании фундаментальных и прикладных исследований, подготовке опытных образцов, выпуске пилотных малых серий перспективных изделий.
Сейчас в нашей стране для обеспечения технологического лидерства обосновано вкладываются огромные средства для развития национальной технологической базы разработки и производства микроэлектроники. Это грандиозный вызов для России ― стать независимой в области микроэлектроники и твердотельной нанофотоники.
На секции проанализируют вклад сибирских ученых, инженеров, студентов и промышленников в реализацию амбициозных планов по разработке технологического оборудования, материалов, сверхчистой химии, программного обеспечения, подготовке кадров для микроэлектронной промышленности.
Участникам предстоит затронуть вопросы гармонизации существующих образовательных программ и формирования новых ― под запросы промышленных предприятий в организациях, осуществляющих подготовку кадров для микроэлектронной отрасли.
Секция «Микроэлектроника» будет полезна не только высококвалифицированным специалистам, студентам и аспирантам, занимающимся электронной компонентной базой и развитием полупроводниковых технологий, но и всем, кто увлекается впечатляющими технологиями будущего.
Участников ждёт дискуссия, касающаяся перехода от импортозамещения к серийному производству и технологическому лидерству в области ЭКБ микроэлектроники. В том числе в области разработки приборов и интегральных схем на новых физических принципах и с использованием новых материалов.
Своим опытом поделятся представители крупных научных консорциумов, вузов и индустрии. Вместе они постараются ответить на вопросы о кратчайших путях коммерциализации научных знаний, создании проектов замкнутого цикла, основанного на оптимальном сочетании фундаментальных и прикладных исследований, подготовке опытных образцов, выпуске пилотных малых серий перспективных изделий.
Сейчас в нашей стране для обеспечения технологического лидерства обосновано вкладываются огромные средства для развития национальной технологической базы разработки и производства микроэлектроники. Это грандиозный вызов для России ― стать независимой в области микроэлектроники и твердотельной нанофотоники.
На секции проанализируют вклад сибирских ученых, инженеров, студентов и промышленников в реализацию амбициозных планов по разработке технологического оборудования, материалов, сверхчистой химии, программного обеспечения, подготовке кадров для микроэлектронной промышленности.
Участникам предстоит затронуть вопросы гармонизации существующих образовательных программ и формирования новых ― под запросы промышленных предприятий в организациях, осуществляющих подготовку кадров для микроэлектронной отрасли.
Секция «Микроэлектроника» будет полезна не только высококвалифицированным специалистам, студентам и аспирантам, занимающимся электронной компонентной базой и развитием полупроводниковых технологий, но и всем, кто увлекается впечатляющими технологиями будущего.
Доклады:
Ипполитов Кирилл Михайлович, генеральный директор АО «НЗПП Восток»
Российская микроэлектроника - тренды, возможности, риски
Носенко Лев Сергеевич, генеральный директор АО НЗР «Оксид»
Опыт работы с вузами и НИИ; новые разработки акционерного общества «Новосибирский завод радиодеталей «Оксид»
Сидоров Денис Юрьевич, генеральный директор АО НИИ «Октава»
Новые разработки АО НИИ «Октава»
Старостенко Александр Анатольевич, заведующий сектором, ИЯФ СО РАН
Развитие ионных ускорителей для имплантации в ИЯФ СО РАН. Проект «Имплантер»
Спесивцев Евгений Васильевич, заведующий лабораторией, ИФП СО РАН
Характеризация слоев диэлектриков на пластинах кремния методом эллипсометрии: проект «Эллипс»
Горовой Константин Валерьевич, технический директор АО «Нанотроника»
Электронное машиностроение 2026: актуальное состояние и перспективы развития
Зарубанов Александр Александрович, главный конструктор АО «НЗПП Восток»
МЭМС приборы и технологии АО «НЗПП «Восток»: перспективы развития
Тимошенков Алексей Сергеевич, генеральный директор ООО «Лаборатория Микроприборов»
«Импортозамещение в области инерциальных МЭМС. Опыт Лаборатории Микроприборов»
Кривальцевич Сергей Викторович, и.о. директора, Институт радиофизики и физической электроники СО РАН
Технологические аспекты создания перспективных изделий функциональной микроэлектроники
Сидоров Георгий Юрьевич, заместитель директора ИФП СО РАН
Разработка производственно-ориентированной установки молекулярно-лучевой эпитаксии для серийного выпуска гетероструктур на основе CdHgTe на подложках диаметром до 150 мм» (проект «Локомотив»)
Щеглов Дмитрий Владимирович, заведующий лабораторией, ИФП СО РАН
Разработка оптического лабораторного интерференционного микроскопа-профилометра пикометрового разрешения: перспективы и возможности сингулярных поверхностей кремния (проект «Олимп»)
Васильев Евгений Владимирович, заведующий лабораторией, НИОХ СО РАН
Позитивные фоторезисты с химическим усилением чувствительные в спектральном диапазоне 248-436 нм
Горшков Дмитрий Витальевич, руководитель отдела НИР и ОКР ООО «Академвак»
Разработка вакуумного технологического оборудования
Ипполитов Кирилл Михайлович, генеральный директор АО «НЗПП Восток»
Российская микроэлектроника - тренды, возможности, риски
Носенко Лев Сергеевич, генеральный директор АО НЗР «Оксид»
Опыт работы с вузами и НИИ; новые разработки акционерного общества «Новосибирский завод радиодеталей «Оксид»
Сидоров Денис Юрьевич, генеральный директор АО НИИ «Октава»
Новые разработки АО НИИ «Октава»
Старостенко Александр Анатольевич, заведующий сектором, ИЯФ СО РАН
Развитие ионных ускорителей для имплантации в ИЯФ СО РАН. Проект «Имплантер»
Спесивцев Евгений Васильевич, заведующий лабораторией, ИФП СО РАН
Характеризация слоев диэлектриков на пластинах кремния методом эллипсометрии: проект «Эллипс»
Горовой Константин Валерьевич, технический директор АО «Нанотроника»
Электронное машиностроение 2026: актуальное состояние и перспективы развития
Зарубанов Александр Александрович, главный конструктор АО «НЗПП Восток»
МЭМС приборы и технологии АО «НЗПП «Восток»: перспективы развития
Тимошенков Алексей Сергеевич, генеральный директор ООО «Лаборатория Микроприборов»
«Импортозамещение в области инерциальных МЭМС. Опыт Лаборатории Микроприборов»
Кривальцевич Сергей Викторович, и.о. директора, Институт радиофизики и физической электроники СО РАН
Технологические аспекты создания перспективных изделий функциональной микроэлектроники
Сидоров Георгий Юрьевич, заместитель директора ИФП СО РАН
Разработка производственно-ориентированной установки молекулярно-лучевой эпитаксии для серийного выпуска гетероструктур на основе CdHgTe на подложках диаметром до 150 мм» (проект «Локомотив»)
Щеглов Дмитрий Владимирович, заведующий лабораторией, ИФП СО РАН
Разработка оптического лабораторного интерференционного микроскопа-профилометра пикометрового разрешения: перспективы и возможности сингулярных поверхностей кремния (проект «Олимп»)
Васильев Евгений Владимирович, заведующий лабораторией, НИОХ СО РАН
Позитивные фоторезисты с химическим усилением чувствительные в спектральном диапазоне 248-436 нм
Горшков Дмитрий Витальевич, руководитель отдела НИР и ОКР ООО «Академвак»
Разработка вакуумного технологического оборудования
Место проведения
Свяжитесь по вопросам участия, уточнения информации или встречным предложениям
г. Новосибирск, ул. Пирогова, 3
Контакты по вопросам участия
Контакты для СМИ
Полина Кудрявцева
+7 913-374-12-34
+7 913-374-12-34
Контакты по вопросам участия
09/ Контакты
Мы в Телеграм
Telegram